Hôm thứ năm vừa rồi, Intel đã công bố thông tin kĩ thuật về tiến trình 10nm SuperFin mới nhất của mình, bên cạnh đó công ty còn thay đổi danh pháp (nomenclature) của tiến trình.

Đọc thêm:

Cụ thể là lần này, Intel sẽ không sử dụng ## nm++ với mỗi dấu “+” là một cải tiến hay internode (tạm hiểu là đường liên nút) nữa mà sẽ đặt tên chi tiết hơn. 10nm SuperFin là tiến trình cải tiến đầu tiên của tiến trình 10nm từng xuất hiện trước đó với vi xử lý Intel thế hệ 10 Ice Lake. Công ty hứa hẹn tiết kiện hiệu năng của tiến trình này sẽ tương đương 7nm của TSMC và Samsung.

Tiến trình 10nm SuperFin được hình thành từ hai cải tiến quan trọng là tụ điện SuperMIM và bóng bán dẫn FinFET thiết kế mới. Tụ điện SuperMIM sẽ giúp tăng 5 lần điện dung khi so sánh với các thiết bị khác trong cùng nhóm, FinFET thiết kế mới sẽ có một rrào chắn mới giúp giảm điện trở khoảng 30%. Kết hợp lại với nhau, tiến trình 10nm SuperFin này sẽ cho phép các con chip một đường cong V/F tương đương như lên hẳn một tiến trình mới mà không phải thay đổi mật độ bóng bán dẫn. Sản phẩm đầu tiên với tiến trình này sẽ là các vi xử lý Tiger Lake sắp tới và Intel cũng đang cải thiện tiến trình này để phù hợp hơn cho các trung tâm dữ liệu.