Trong thời điểm hiện tại, ổ đĩa băng đã gần như là một khái niệm cũ nhưng mới đây theo báo cáo cho biết thì Fujifilm đang phát triển một ổ đĩa băng dung lượng lên đến 400TB.

Theo PetaPixel cho biết, công nghệ lưu trữ dự trên băng (tape) chủ yếu là Linear Tape-Open(LTO). Hiện tại LTO đang ở thế hệ thứ 8 LTO-8, cho bộ nhớ lưu trữ tối đã lên đến 12TB. LTO-9 sẽ ra mắt đâu đó cuối năm nay với bộ nhớ lưu trữ chỉ 24TB, nghĩa là Fujifilm đang phát triển công nghệ còn khủng hơn cả thế hệ mới nhất của công nghệ lưu trữ băng.

Ổ đĩa băng Fujifilm Ultrium LTO-8

Theo đó, lý giải cho bước đột phá trong công nghệ lưu trữ băng từ cho bộ nhớ khủng 400TB là nhờ vào lớp phủ mới trên lớp băng. Ổ đĩa LTO-8 và LTO-9 sử dụng băng có lớp phủ Barium Ferrite (BaFe), trong khi đó Fujifilm có ý định sử dụng Strontium Ferrite (SrFe) vì chất lượng từ tính vượt trội. Trong tài liệu năm 2018 về LTO, Fujifilm chỉ ra phần lớn các tính chất từ tính vượt trội của SrFe hơn hẳn BaFe, cho phép đạt mức độ hiệu năng cao hơn nhiều trong khi giảm kích thước hạt phủ. 

So sánh kích thước các hạt qua từng thời gian, bên trái là băng LTO-7 sử dụng Barium Ferrite, ở giữa là công nghệ năm 2015 cho thấy kích thước các hạt nhỏ hơn, dày đặt hơn với lớp phủ BaFe được cải tiến. Bên phải là Strontium Ferrite cho kích thước hạt nhỏ và độ phủ dày đặc hơn.

Cũng trong cùng văn bản, Fujifilm cho biết là công ty đã bắt đầu nghiên cứu về SrFe từ 2012 và đã thực hiện các nghiên cứu phát triển riêng. Năm 2015, Fujifilm đã đạt được bộ nhớ 220TB trong lớp phủ lên một dải băng duy nhất và vào năm 2018, công ty tin rằng họ đã giảm được 40% lượng hạt phủ lên lớp băng. Công nghệ này vẫn còn khá xa để có thể được đem đi thương mại, nhưng Fujifilm đang nhắm tới năm 2027 sẽ là năm giới thiệu SrFe LTO. Theo đó, ổ đĩa băng sẽ cho bộ nhớ 224Gbit mỗi 1 inch vuông trên băng.