Samsung tăng dung tích bộ nhớ và tốc độ truy xuất dữ liệu cho SSD mới

Samsung đang trong quá trình sản xuất hàng loạt các ổ cứng SSD V-NAND 3 bit với dung lượng 256GB thế hệ thứ 6, tăng 10% hiệu suất và giảm 15% tiêu thụ điện năng.

Samsung đã bắt đầu sản xuất hàng loạt trên các ổ cứng SDD mới, V-NAND 3 bit 256GB thế hệ thứ 6 của công ty này. Chiếc ổ cứng mới sẽ được trang bị 100 lớp V-NAND đầu tiên trong ngành công nghiệp sản xuất ổ cứng, tốc độ ghi đạt 450 micro giây và tốc độ đọc là 45 micro giây. So với các ổ SSD 90 lớp trước đây của Samsung, hiệu suất của chiếc ổ cứng mới sẽ tăng 10% và tiêu thụ điện năng giảm 15%.

Samsung SSD V-NAND 3 bitV-NAND thế hệ thứ sáu xuất hiện chỉ 13 tháng sau khi phiên bản tiền nhiệm được ra mắt, giảm thời gian của chu kỳ sản xuất hàng loạt xuống còn 4 tháng. Nhiều lý do để Samsung phải có những “hành động” sớm, nhất là khi tình trạng dư cung NAND đã dẫn đến một cuộc chiến về giá giữa các nhà cung cấp. Kye Hyun Kyung, Phó chủ tịch điều hành của nhóm sản phẩm giải pháp và công nghệ của Samsung Electronics cho biết: “Bằng cách đưa công nghệ bộ nhớ 3D tiên tiến vào sản xuất ổ cứng, chúng tôi có thể giới thiệu các dòng bộ nhớ kịp thời giúp tăng đáng kể tốc độ và hiệu quả năng lượng”. Ông nói thêm rằng nhờ chu kỳ phát triển nhanh hơn, Samsung có kế hoạch “nhanh chóng mở rộng” thị trường SDD.

Nguồnengadget
Quảng cáospot_img
Quảng cáospot_img

Tin liên quan