Tiếp theo sự thành công của bộ đôi  Snapdragon 820 và 821 trong năm nay, Qualcomm vừa ra mắt SoC cao cấp mới cho năm 2017 mang tên Snapdragon 835.

Hiện vẫn chưa có thêm nhiều thông số được tiết lộ, nhưng theo thông tin đã được xác nhận thì chipset này sẽ được Samsung sản xuất trên quy trình 10nm FinFET, tích hợp công nghệ sạc nhanh Quick Charge 4.0. So với Snapdragon 820 thì người kế nhiệm Snapdragon 835 sẽ có kích thước bé hơn 30%, nhanh hơn 27% và tiết kiệm năng lượng hơn 40%.

Công nghệ Quick charge 4.0 sẽ sạc nhanh hơn thế Quick charge 3.0 trước đó 20%, ấn tượng hơn là chỉ cần sạc trong 5 phút thì đủ thời lượng pin sử dụng trong 5 giời. Dưới đây là một số thông tin về công nghệ sạc nhanh cũng như thông số kỹ thuật của bộ ba Snapdragon 835, SD821, SD820.